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6.2.3 DC CHARACTERISTICS
LHF16KS1
DC Characteristics
V CC =5V
Test
34
Symbol
I LI
I LO
Parameter
Input Load Current
Output Leakage Current
Notes
1
1
Typ.
Max.
±1
±10
Unit
μA
μA
Conditions
V CC =V CC Max.
V IN =V CC or GND
V CC =V CC Max.
V OUT =V CC or GND
I CCS
V CC Standby Current
1,3,6
CMOS Inputs
25
100
μA
V CC =V CC Max.
CE#=RP#=V CC ±0.2V
TTL Inputs
2
4
mA
V CC =V CC Max.
CE#=RP#=V IH
I CCD
I CCR
V CC Deep Power-Down
Current
V CC Read Current
1
1,5,6
20
μA
RP#=GND±0.2V
I OUT (STS)=0mA
CMOS Inputs
50
65
mA
mA
V CC =V CC Max.
CE#=GND
f=8MHz, I OUT =0mA
TTL Inputs
V CC =V CC Max., CE#=V IL
f=8MHz, I OUT =0mA
I CCW
V CC Write Current
1,7
((Multi) W/B Write or Set Block
35
mA
V PP =5.0V±0.5V
Lock Bit)
I CCE
V CC Erase Current
1,7
(Block Erase, Full Chip Erase,
30
mA
V PP =5.0V±0.5V
Clear Block Lock Bits)
I CCWS
I CCES
I PPS
I PPR
I PPD
V CC Write or Block Erase
Suspend Current
V PP Standby Current
V PP Read Current
V PP Deep Power-Down
Current
1,2
1
1
1
1
±2
10
0.1
10
±15
200
5
mA
μA
μA
μA
CE#=V IH
V PP ≤ V CC
V PP >V CC
RP#=GND±0.2V
I PPW
V PP Write Current
1,7
((Multi) W/B Write or Set Block
80
mA
V PP =5.0V±0.5V
Lock Bit)
I PPE
V PP Erase Current
1,7
(Block Erase, Full Chip Erase,
40
mA
V PP =5.0V±0.5V
Clear Block Lock Bits)
I PPWS
I PPES
V PP Write or Block Erase
Suspend Current
1
10
200
μA
V PP =V PPH1
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